C2M0080120D

包装
散装
系列
Z-FET??
FET 类型
SiCFET N 通道，碳化硅
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
31.6A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
98 毫欧 @ 20A， 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
49.2nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
950pF @ 1000V
功率 - 最大值
208W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
产品简介说明
MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
产品描述备注

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