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APTGT50A120D1G

  • 厂家：Microsemi Power Products Group
  • 封装：D1
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：IGBT - 模块
  • PDF：APTGT50A120D1G

APTGT50A120D1G

  • 系列

    -

  • IGBT 类型

    沟道和场截止

  • 配置

    半桥

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    1200V

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）

    75A

  • 功率 - 最大值

    270W

  • 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)

    2.1V @ 15V，50A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）

    5mA

  • 不同?Vce 时的输入电容 (Cies)

    3.6nF @ 25V

  • 输入

    标准

  • NTC 热敏电阻

    无

  • 安装类型

    底座安装

  • 封装/外壳

    D1

  • 产品简介说明

    IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

  • 产品描述备注

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