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BSZ12DN20NS3G

  • 厂家：Infineon Technologies
  • 封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • 批号：--
  • 数量：10,000 - 立即发货
  • 价格：4.555
  • 类型：FET - 单
  • PDF：BSZ12DN20NS3G

BSZ12DN20NS3G

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    OptiMOS??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    200V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    11.3A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    125 毫欧 @ 5.7A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 25μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    8.7nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    680pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    50W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 产品简介说明

    MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

  • 产品描述备注

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