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CSD75207W15
CSD75207W15
- 厂家:Texas Instruments
- 封装:9-DSBGA
- 批号:--
- 数量:电询
- 价格:2.756
- 类型:FET - 阵列
- PDF:

CSD75207W15
- 包装
带卷 (TR)
- 系列
NexFET??
- FET 类型
2 个 P 沟道(双)
- FET 功能
逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)
20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)
2.4A
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
162 毫欧 @ 1A, 1.8V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
3.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
595pF @ 10V
- 功率 - 最大值
700mW
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
9-UFBGA,DSBGA
- 产品简介说明
MOSFET P-CH DUAL 9DSBGA
- 产品描述备注