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DMC1229UFDB-13

  • 厂家：Diodes Incorporated
  • 封装：6-UDFN2020（2x2）
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：0.981
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：DMC1229UFDB-13

DMC1229UFDB-13

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    N 和 P 沟道

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    12V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    5.6A, 3.8A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    29 毫欧 @ 5A，4.5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    19.6nC @ 8V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    914pF @ 6V

  • 功率 - 最大值

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    6-UDFN 裸露焊盘

  • 产品简介说明

    MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

  • 产品描述备注

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