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IPD50R650CE

  • 厂家：Infineon Technologies
  • 封装：PG-TO252-3
  • 批号：--
  • 数量：2,500 - 立即发货
  • 价格：4.291
  • 类型：FET - 单
  • PDF：IPD50R650CE

IPD50R650CE

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    CoolMOS??

  • FET 类型

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    标准

  • 漏源极电压 (Vdss)

    500V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    6.1A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    650 毫欧 @ 1.8A, 13V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    3.5V @ 150μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    15nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    342pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    47W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

  • 产品简介说明

    MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

  • 产品描述备注

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