IRF1010NSTRLPBF
带卷 (TR) 可替代的包装
HEXFET?
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准
55V
85A (Tc)
11 毫欧 @ 43A,10V
4V @ 250μA
120nC @ 10V
3210pF @ 25V
180W
表面贴装
TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK