RSD050N10TL
带卷 (TR) 可替代的包装
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MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,4V 驱动
100V
5A (Ta)
190 毫欧 @ 5A, 10V
2.5V @ 1mA
14nC @ 10V
530pF @ 25V
15W
表面贴装
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3