SI2302CDS-T1-GE3
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
20V
2.6A (Ta)
57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
850mV @ 250μA
5.5nC @ 4.5V
-
710mW
表面贴装
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3