SI8424DB-T1-E1
带卷 (TR) 可替代的包装
TrenchFET?
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
8V
12.2A (Tc)
31 毫欧 @ 1A,4.5V
1V @ 250μA
33nC @ 5V
1950pF @ 4V
6.25W
表面贴装
4-XFBGA,CSPBGA
MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP