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SIZ914DT-T1-GE3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：*
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：询价
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：SIZ914DT-T1-GE3

SIZ914DT-T1-GE3

  • 包装

    *可替代的包装

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 类型

    2 个 N 通道（半桥）

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    16A，40A

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    6.4 毫欧 @ 19A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    26nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    1208pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    22.7W， 100W

  • 安装类型

    *

  • 封装/外壳

    *

  • 产品简介说明

    MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

  • 产品描述备注

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