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STP10N60M2
STP10N60M2
- 厂家:STMicroelectronics
- 封装:TO-220
- 批号:--
- 数量:1,923 - 立即发货
- 价格:12.110
- 类型:FET - 单
- PDF:

STP10N60M2
- 包装
管件
- 系列
MDmesh? II Plus
- FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能
标准
- 漏源极电压 (Vdss)
600V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)
7.5A (Tc)
- 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)
600 毫欧 @ 3A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
13.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
400pF @ 100V
- 功率 - 最大值
85W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3
- 产品简介说明
MOSFET N-CH 600V TO-220
- 产品描述备注