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TPS1101DR

  • 厂家：Texas Instruments
  • 封装：8-SOIC
  • 批号：--
  • 数量：7,500 - 厂方库存
  • 价格：5.906
  • 类型：FET - 单
  • PDF：TPS1101DR

TPS1101DR

  • 包装

    带卷 （TR） 可替代的包装

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    15V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    2.3A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    90 毫欧 @ 2.5A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    1.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    11.25nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    791mW

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

  • 产品描述备注

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