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VQ1001P-E3

  • 厂家：Vishay Siliconix
  • 封装：*
  • 批号：--
  • 数量：电询
  • 价格：336.000
  • 类型：FET - 阵列
  • PDF：VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

  • 包装

    *

  • 系列

    -

  • FET 类型

    4 个 N 通道

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    30V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    830mA

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    1.75 欧姆 @ 200mA， 5V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    110pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    2W

  • 安装类型

    *

  • 封装/外壳

    -

  • 产品简介说明

    MOSFET 4N-CH 30V 830MA 14DIP

  • 产品描述备注

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